鉬銅作為微電子材料的應用

鉬銅合金(MoCu a鉬銅和鎢銅一樣，均具有低的膨脹特性(鉬的熱膨脹係數5.0x10-6/℃，鎢的熱膨脹係數4.5x10-6/℃)，又具有銅的高導熱特性，其熱膨脹係數和導熱導電性能可通過成分調節。根據需要，兩者均廣泛用作積體電路、散熱器、熱沉材料。

鉬銅的製備工藝，與鎢銅類似，目前主要有兩種工藝：燒結熔滲法和粉末冶金法。

鉬銅被廣泛應用於積體電路，散熱器和散熱片及其他微電子材料。大功率的集成電路和微波器件要求高電導熱導材料作為導電散熱元件，同時又要兼顧真空性能、耐熱性能及熱膨脹係數等。鎢銅和鉬銅材料有由於其各項特性符合這些要求，因此是這方面應用的優選材料。

鉬銅電子封裝材料具有優良的導熱性能和可調節的熱膨脹係數，目前是國內外大功率電子元器件首選的電子封裝材料，並能與Be0、Al203陶瓷匹配，廣泛用於微波、通訊、射頻、航空航太、電力電子、大功率半導體雷射器、醫療等行業。

另外，在微波封裝和射頻封裝領域，也大量採用該材料做熱沉。在軍用電子設備中，它常常被採用為高可靠線路板的基體材料。